BSO612CVGHUMA1全国供应商 BSO612CVGHUMA1资料|PDF Datasheet|价格【Infineon 英飞凌】

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价格
说明
操作

BSO612CVGHUMA1
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园4栋中6楼6B01
69880
TY/台灣半導体
SOP8
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

BSO612CVGHUMA1
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Infineon Technologies
PG-DSO-8
17+
-
全新原装现货

BSO612CVGHUMA1
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
INFINEON/英飞凌
SOP-8
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

BSO612CVGHUMA1
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
9800
Infineon Technologies
PG-DSO-8
19+
-
代理直销！进口原装正品！

BSO612CVGHUMA1
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
31852
INFINEON/英飞凌
SOP-8
2022+
-
专业供应MOS/LDO/晶体管/有大量价...

BSO612CVGHUMA1
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：李小姐
电话：18229386512
地址：上步工业区501栋410室
20000
INFINEON/英飞凌
SOP-8
23+
-
原装正品欢迎咨询

BSO612CVGHUMA1
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
6000
英飞凌
NA
19+
-
公司全新原装正品,QQ153058080...

BSO612CVGHUMA1
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
INFINEON
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BSO612CVGHUMA1
深圳市正永电子有限公司
深圳市正永电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-23930354
地址：中航路都会轩3607
9800
Infineon Technologies
PG-DSO-8
19+
-
代理直销！进口原装正品！

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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8-Pin DSO
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
P-KANAL - Tape and Reel
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC

BSO612CVGHUMA1 技术参数

BSO612CV 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A，2A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 20μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:340pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:P-DSO-8 标准包装:1 BSO604NS2XUMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 55V 5A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:35 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 30μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:26nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:870pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:P-DSO-8 标准包装:1 BSO4822T 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12.7A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 12.7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 55μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:26.2nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1640pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 BSO4822 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12.7A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 12.7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 55μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:26.2nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1640pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 BSO4804T 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 30μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:870pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 BSOF3S3E-010.0M BSP 51 E6327 BSP 52 E6327 BSP 60 E6433 BSP030,115 BSP100,135 BSP110,115 BSP122,115 BSP123E6327T BSP123L6327HTSA1 BSP125 E6327 BSP125 E6433 BSP125H6327XTSA1 BSP125H6433XTMA1 BSP125L6327HTSA1 BSP125L6433HTMA1 BSP126,115 BSP126,135

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