BSS-2224

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BSS-2224 技术参数

BSS215PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:150 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:346pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BSS215PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:3.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:346pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:150 毫欧 @ 1.5A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-SOT23-3 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 BSS215P H6327 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:150 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:346pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BSS214NWH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:140 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 3.7μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.8nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:143pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:PG-SOT323-3 标准包装:1 BSS214NW L6327 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-323 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:140 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 3.7μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.8nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:143pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:PG-SOT323-3 标准包装:3,000 BSS308PE H6327 BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEL6327HTSA1 BSS314PE H6327 BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEL6327HTSA1 BSS315P H6327 BSS315PH6327XTSA1 BSS315PL6327HTSA1 BSS316N H6327 BSS316NH6327XTSA1 BSS316NL6327HTSA1 BSS340NWH6327XTSA1 BSS44 BSS606NH6327XTSA1 BSS63 BSS63,215 BSS63LT1G