BSS123/

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BSS123/IM2001
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园4栋中7楼7B30
69880
INGREY
SOT23-3L
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

BSS123/SA
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室
资质：营业执照
5000
SIEMENS
全新原装现货
05+
-
假一罚十，百分百原装正品

BSS123/BSS123LT1G
深圳市华创欧科技有限公司
深圳市华创欧科技有限公司
联系人：朱先生
电话：2394575513590206539
地址：深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
30000
ON
SOT-23
2022+
-
原装正品，公司现货库存假一罚十，电话：0...

1/1页 40条/页共3条
1

您是不是要找： BSS123/LF1R BSS123_D87Z BSS123-7 BSS123-7-F BSS123ATA BSS123ATC BSS123E6327 BSS123L BSS123L6327HTSA1

BSS123/ PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

BSS123/ 技术参数

BSS123,215 功能描述:MOSFET N-CH 100V 150MA SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:150mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:40pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:250mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 欧姆 @ 120mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 BSS123 E6433 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 欧姆 @ 170mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.67nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:69pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:10,000 BSS123 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 欧姆 @ 170mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:73pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 BSS119NH6433XTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:* 零件状态:有效标准包装:10,000 BSS119NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:190mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 欧姆 @ 190mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 13μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:20.9pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BSS123L6433HTMA1 BSS123L7874XT BSS123LT1 BSS123LT1G BSS123LT3 BSS123LT3G BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6433XTMA1 BSS123TA BSS123TC BSS123W BSS123W-7 BSS123W-7-F BSS123WQ-7-F BSS-125-01-C-D-A BSS-125-01-F-D BSS-125-01-F-D-A BSS-125-01-H-D