BSS123-13-F

配单专家企业名单

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说明
操作

BSS123-13-F
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
ZETEX/D
SOT23
22+
-
全新原装现货供应

BSS123-13-F
深圳市华盛锦科技有限公司
深圳市华盛锦科技有限公司
联系人：雷小姐
电话：0755-2391507123915070（承诺只售原装正品，终端BOM配单一站式服务）
地址：华强街道赛格广场55楼5566室
资质：营业执照
90000
DIODES/美台
SOT-23
2020+
-
★★★真实库存，假一赔十，原厂授权★★★

BSS123-13-F
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
DIODESINC
ORIGINAL
最新批号
-
代理此型号，原装特价现货！

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BSS123-13-F 技术参数

BSS123_D87Z 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 欧姆 @ 170mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:73pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:10,000 BSS123/LF1R 功能描述:MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:150mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:40pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:250mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 欧姆 @ 120mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:3,000 BSS123,215 功能描述:MOSFET N-CH 100V 150MA SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:150mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:40pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:250mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 欧姆 @ 120mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 BSS123 E6433 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 欧姆 @ 170mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.67nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:69pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:10,000 BSS123 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 欧姆 @ 170mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:73pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 BSS123LT1 BSS123LT1G BSS123LT3 BSS123LT3G BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6433XTMA1 BSS123TA BSS123TC BSS123W BSS123W-7 BSS123W-7-F BSS123WQ-7-F BSS-125-01-C-D-A BSS-125-01-F-D BSS-125-01-F-D-A BSS-125-01-H-D BSS-125-01-H-D-A BSS-125-01-L-D