BSS296

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BSS296
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
SIEM
NONE
-
假一罚十，百分百原装正品

BSS296
深圳市蓝山航业电子科技有限公司
深圳市蓝山航业电子科技有限公司
联系人：陈伟
电话：0755-83979745
地址：新亚洲二期N2A090
500000
inf
22+
-
行业低价，代理渠道

BSS296
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
PH
TO-92
最新批号
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一级代理.原装特价现货！

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制造商
INFINEON
制造商全称
Infineon Technologies AG
功能描述
SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)

BSS296 技术参数

BSS225L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:90mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 欧姆 @ 90mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 94μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:131pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PG-SOT89 标准包装:1,000 BSS225H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:90mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 欧姆 @ 90mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 94μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:131pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PG-SOT89 标准包装:1,000 BSS225H6327FTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:90mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 欧姆 @ 90mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 94μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:131pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PG-SOT89 标准包装:1 BSS225 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:90mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 欧姆 @ 90mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 94μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:131pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PG-SOT89 标准包装:1,000 BSS223PWH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 390MA SOT-323 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:390mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.2 欧姆 @ 390mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.5μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.62nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:56pF @ 15V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:PG-SOT323-3 标准包装:1 BSS315P H6327 BSS315PH6327XTSA1 BSS315PL6327HTSA1 BSS316N H6327 BSS316NH6327XTSA1 BSS316NL6327HTSA1 BSS340NWH6327XTSA1 BSS44 BSS606NH6327XTSA1 BSS63 BSS63,215 BSS63LT1G BSS64 BSS64,215 BSS64LT1 BSS64LT1G BSS670S2L BSS670S2L H6327