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BSTS-07X25

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  • BSTS-07X25
    BSTS-07X25

    BSTS-07X25

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 10000

  • TE CONNECTIVITY / RAYCHEM

  • 标桩封装

  • 15+

  • -
  • 百分百原装质量保障

  • 1/1页 40条/页 共21条 
  • 1
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  • 功能描述
  • 热收缩管和套管
  • RoHS
  • 制造商
  • 3M Electronic Specialty
  • 类型
  • Tubing
  • 材料
  • Polyolefin, Flexible
  • 颜色
  • Clear
  • 最低收缩温度
  • + 100 C
  • 恢复直径
  • 长度
  • 100 ft
  • 内径
  • 1.5 in
  • 收缩率
  • 2
BSTS-07X25 技术参数
  • BSTS-07X100FR 功能描述:HEATSHRINK TUBING FR SIZE 7X100' 制造商:te connectivity aerospace, defense and marine 系列:BSTS-FR 零件状态:有效 类型:套管,半刚性 收缩率:3 至 1 长度:100'(30.48m) 内径(出厂):0.750"(19.05mm) 内径 - 恢复后:0.220"(5.6mm) 恢复后的壁厚:0.095"(2.41mm) 材料:聚烯烃(PO),辐射处理 特性:耐磨蚀,阻燃,耐流体 颜色:黑 工作温度:-55°C ~ 110°C 收缩温度:90°C 标准包装:2 BSTS-04X4 功能描述:HEATSHRINK TUBING SIZE 4X4' 制造商:te connectivity raychem cable protection 系列:BSTS 零件状态:有效 类型:套管,半刚性 收缩率:3 至 1 长度:4.00'(1.22m) 内径(出厂):0.400"(10.16mm) 内径 - 恢复后:0.150"(3.8mm) 恢复后的壁厚:0.070"(1.78mm) 材料:聚烯烃(PO),辐射处理 特性:耐磨蚀,防水 颜色:黑 工作温度:-55°C ~ 110°C 收缩温度:90°C 标准包装:20 BST82,235 功能描述:MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):190mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10 欧姆 @ 150mA,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 标准包装:10,000 BST82,215 功能描述:MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):190mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):40pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):830mW(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10 欧姆 @ 150mA,5V 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:1 BST72A,112 功能描述:MOSFET N-CH 100V 190MA SOT54 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):190mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10 欧姆 @ 150mA,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:1,000 BSTS-35X25/FR/NM BSTS-45X25/FR/NM BSTS-45X4 BSU-10BFFM-SL7A01 BSU-10BFFM-SL7A02 BSU-10BFFM-SL7A05 BSU-10BFFM-SL7A10 BSU-10BFFM-SR6A01 BSU-10BFFM-SR6A02 BSU-10BFFM-SR6A05 BSU-10BFFM-SR6A10 BSV10L BSV10Q BSV10X-D BSV10X-E BSV10X-L BSV10X-Q BSV14C
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