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BSTS-07X4CL

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制造商
TE Connectivity
功能描述
CB5017-000

BSTS-07X4CL 技术参数

BSTS-07X4 功能描述:HEATSHRINK TUBING SIZE 7X4' 制造商:te connectivity raychem cable protection 系列:BSTS 零件状态:有效类型:套管，半刚性收缩率:3 至 1 长度:4.00'（1.22m）内径（出厂）:0.750"（19.05mm）内径 - 恢复后:0.220"（5.6mm）恢复后的壁厚:0.095"（2.41mm）材料:聚烯烃（PO），辐射处理特性:耐磨蚀，防水颜色:黑工作温度:-55°C ~ 110°C 收缩温度:90°C 标准包装:20 BSTS-07X100FR 功能描述:HEATSHRINK TUBING FR SIZE 7X100' 制造商:te connectivity aerospace, defense and marine 系列:BSTS-FR 零件状态:有效类型:套管，半刚性收缩率:3 至 1 长度:100'（30.48m）内径（出厂）:0.750"（19.05mm）内径 - 恢复后:0.220"（5.6mm）恢复后的壁厚:0.095"（2.41mm）材料:聚烯烃（PO），辐射处理特性:耐磨蚀，阻燃，耐流体颜色:黑工作温度:-55°C ~ 110°C 收缩温度:90°C 标准包装:2 BSTS-04X4 功能描述:HEATSHRINK TUBING SIZE 4X4' 制造商:te connectivity raychem cable protection 系列:BSTS 零件状态:有效类型:套管，半刚性收缩率:3 至 1 长度:4.00'（1.22m）内径（出厂）:0.400"（10.16mm）内径 - 恢复后:0.150"（3.8mm）恢复后的壁厚:0.070"（1.78mm）材料:聚烯烃（PO），辐射处理特性:耐磨蚀，防水颜色:黑工作温度:-55°C ~ 110°C 收缩温度:90°C 标准包装:20 BST82,235 功能描述:MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:190mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 欧姆 @ 150mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）标准包装:10,000 BST82,215 功能描述:MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:190mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:40pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:830mW（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 欧姆 @ 150mA，5V 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 BSTS-45X25/FR/NM BSTS-45X4 BSU-10BFFM-SL7A01 BSU-10BFFM-SL7A02 BSU-10BFFM-SL7A05 BSU-10BFFM-SL7A10 BSU-10BFFM-SR6A01 BSU-10BFFM-SR6A02 BSU-10BFFM-SR6A05 BSU-10BFFM-SR6A10 BSV10L BSV10Q BSV10X-D BSV10X-E BSV10X-L BSV10X-Q BSV14C BSV14L