BUH1OO

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BUH1OO 技术参数

BUH150G 功能描述:TRANS NPN 700V 15A TO-220AB 制造商:on semiconductor 系列:SWITCHMODE?? 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:15A 电压 - 集射极击穿（最大值）:700V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:5V @ 4A，20A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:8 @ 10A，5V 功率 - 最大值:150W 频率 - 跃迁:23MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BUH150 功能描述:TRANS NPN 700V 15A TO-220AB 制造商:on semiconductor 系列:SWITCHMODE?? 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:15A 电压 - 集射极击穿（最大值）:700V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:5V @ 4A，20A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:8 @ 10A，5V 功率 - 最大值:150W 频率 - 跃迁:23MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BUH100G 功能描述:TRANS NPN 400V 10A TO-220AB 制造商:on semiconductor 系列:SWITCHMODE?? 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:750mV @ 1.5A，7A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:10 @ 5A，5V 功率 - 最大值:100W 频率 - 跃迁:23MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BUH100 功能描述:TRANS NPN 700V 10A TO-220AB 制造商:on semiconductor 系列:SWITCHMODE?? 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 电压 - 集射极击穿（最大值）:700V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:750mV @ 1.5A，7A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:10 @ 5A，5V 功率 - 最大值:100W 频率 - 跃迁:23MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BUF634UG4 功能描述:IC OPAMP BUFFER 180MHZ 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包装:管件零件状态:在售放大器类型:缓冲器电路数:1 输出类型:- 压摆率:2000 V/μs -3db 带宽:180MHz 电流 - 输入偏置:5μA 电压 - 输入失调:30mV 电流 - 电源:15mA 电流 - 输出/通道:250mA 电压 - 电源，单/双（±）:4.5 V ~ 36 V，±2.25 V ~ 18 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 基本零件编号:BUF634 标准包装:75 BUJ103AD,118 BUJ103AX,127 BUJ105A,127 BUJ105AB,118 BUJ105AD,118 BUJ106A,127 BUJ302A,127 BUJ302AD,118 BUJ302AX,127 BUJ303A,127 BUJ303AD,118 BUJ303AX,127 BUJ303B,127 BUJ303CD,118 BUJ403A,127 BUJ403A/DG,127 BUJD103AD,118 BUJD105AD,118