BUK7109-75ATE,118

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BUK7109-75ATE,118
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

BUK7109-75ATE,118
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
SOT-426
18+
-
MOSFET N-CH 75V 75A ...

BUK7109-75ATE,118
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
NXP Semiconductors
SOT-426
17+
-
全新原装现货

BUK7109-75ATE,118
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
254
Nexperia USA Inc.
TO-263-5，D?Pak（4 引线
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

BUK7109-75ATE,118
深圳市企诺德电子有限公司
深圳市企诺德电子有限公司
联系人：胡
电话：13480313979
地址：深圳市福田区华强北路1002号赛格广场54楼5403B-5404AB
资质：营业执照
15000
NXP
N/A
22+
-
原装正品专业BOM配单

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1

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功能描述
MOSFET TRENCHPLUS MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

BUK7109-75ATE,118 技术参数

BUK7109-75AIE,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchPLUS 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:电流感测漏源极电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:121nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4700pF @ 25V 功率 - 最大值:272W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-5，D2Pak（4 引线+接片），TO-263BB 供应商器件封装:SOT-426 标准包装:1 BUK7108-40AIE,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:电流感测漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:84nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3140pF @ 25V 功率 - 最大值:221W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-5，D2Pak（4 引线+接片），TO-263BB 供应商器件封装:SOT-426 标准包装:1 BUK7107-55ATE,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:二极管（隔离式）漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:116nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4500pF @ 25V 功率 - 最大值:272W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-5，D2Pak（4 引线+接片），TO-263BB 供应商器件封装:SOT-426 标准包装:1 BUK7107-55AIE,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:电流感测漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:116nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4500pF @ 25V 功率 - 最大值:272W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-5，D2Pak（4 引线+接片），TO-263BB 供应商器件封装:SOT-426 标准包装:800 BUK7107-40ATC,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:二极管（隔离式）漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:108nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4500pF @ 25V 功率 - 最大值:272W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-5，D2Pak（4 引线+接片），TO-263BB 供应商器件封装:SOT-426 标准包装:800 BUK7215-55A,118 BUK7219-55A,118 BUK7222-55A,118 BUK7225-55A,118 BUK7226-75A,118 BUK7226-75A/C1,118 BUK7227-100B,118 BUK7230-55A,118 BUK7237-55A,118 BUK7240-100A,118 BUK724R5-30C,118 BUK725R0-40C,118 BUK7275-100A,118 BUK7277-55A,118 BUK7504-40A,127 BUK7505-30A,127 BUK7506-55A,127 BUK7506-55B,127