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BUK789150-55

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BUK789150-55 技术参数
  • BUK7880-55A/CUX 功能描述:MOSFET N-CH 55V 7A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):12nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):8W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):80 毫欧 @ 10A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:SOT-223 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 标准包装:1 BUK7880-55A,115 功能描述:MOSFET N-CH 55V 7A SOT-223 制造商:nxp semiconductors 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):80 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):500pF @ 25V 功率 - 最大值:8W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SC-73 标准包装:1 BUK7880-55/CUF 功能描述:MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.5A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA Vgs(最大值):±16V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):8.3W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):80 毫欧 @ 5A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:SOT-223 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 标准包装:1 BUK7880-55,135 功能描述:MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):80 毫欧 @ 5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):500pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SC-73 标准包装:4,000 BUK78150-55A/CUX 功能描述:MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.5A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):230pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):8W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):150 毫欧 @ 5A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:SOT-223 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 标准包装:1 BUK794R1-40BT,127 BUK7C06-40AITE,118 BUK7C08-55AITE,118 BUK7C10-75AITE,118 BUK7C1R2-40EJ BUK7C1R4-40EJ BUK7C1R8-60EJ BUK7C2R2-60EJ BUK7C3R1-80EJ BUK7C3R8-80EJ BUK7C4R5-100EJ BUK7C5R4-100EJ BUK7D25-40EX BUK7E04-40A,127 BUK7E07-55B,127 BUK7E11-55B,127 BUK7E13-60E,127 BUK7E1R6-30E,127
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