BUK9523-75A,127

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说明
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BUK9523-75A,127
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
TO-220AB
18+
-
MOSFET N-CH 75V 53A ...

BUK9523-75A,127
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50
NXP
NA
14+
-
全新原装现货，假一罚十

BUK9523-75A,127
深圳市泽芯微科技有限公司
深圳市泽芯微科技有限公司
联系人：柯小姐
电话：0755-8273028382732023
地址：中航路新亚洲国利大厦A座24层12室
50
nxp
na
15+
-
原装现货

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功能描述
MOSFET RAIL PWR-MOS
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

BUK9523-75A,127 技术参数

BUK9520-55A,127 功能描述:MOSFET N-CH 55V 54A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:54A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:18 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2210pF @ 25V 功率 - 最大值:118W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BUK9520-55,127 功能描述:MOSFET N-CH 55V 52A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:52A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20 毫欧 @ 25A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2400pF @ 25V 功率 - 最大值:116W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BUK9520-100B,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 63A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:63A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:18.5 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:53.4nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5657pF @ 25V 功率 - 最大值:203W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BUK9520-100A,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 63A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:63A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6385pF @ 25V 功率 - 最大值:200W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BUK951R9-40E,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.7 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:120nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:16400pF @ 25V 功率 - 最大值:349W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BUK9535-55A,127 BUK953R2-40B,127 BUK953R2-40E,127 BUK953R5-60E,127 BUK9540-100A,127 BUK954R2-55B,127 BUK954R4-40B,127 BUK954R4-80E,127 BUK954R8-60E,127 BUK956R1-100E,127 BUK9575-100A,127 BUK9575-55A,127 BUK958R5-40E,127 BUK9604-40A,118 BUK9605-30A,118 BUK9606-40B,118 BUK9606-55A,118 BUK9606-55B,118