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BUT11A-PH

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BUT11A-PH 技术参数
  • BUT11AI,127 功能描述:TRANS NPN 450V 5A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):450V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 330mA,2.5A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):14 @ 500mA,5V 功率 - 最大值:100W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:5,000 BUT11AFTU 功能描述:TRANS NPN 450V 5A TO-220F 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):450V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 500mA,2.5A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):- 功率 - 最大值:40W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220F 标准包装:50 BUT11A 功能描述:TRANS NPN 450V 5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):450V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 500mA,2.5A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):10 @ 500mA,5V 功率 - 最大值:83W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 BUT11 功能描述:TRANS NPN 400V 5A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 600mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):- 功率 - 最大值:100W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:1,200 BUT100 功能描述:TRANS NPN 125V 50A TO-3 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50A 电压 - 集射极击穿(最大值):125V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):900mV @ 10A,100A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):- 功率 - 最大值:300W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-204AA,TO-3 供应商器件封装:TO-3 标准包装:20 BUT12AX,127 BUT12TU BUT30V BUT70W BUT90 BUT92 BUTW92 BUV20 BUV21G BUV22 BUV22G BUV26 BUV26G BUV27 BUV27G BUV298AV BUV298V BUV48A
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