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BYG10D-E3/TR3

配单专家企业名单
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  • BYG10D-E3/TR3
    BYG10D-E3/TR3

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  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
    深圳市澳亿芯电子科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:86-755-8450174913760200702

    地址:深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706

    资质:营业执照

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  • 深圳市大源实业科技有限公司
    深圳市大源实业科技有限公司

    联系人:李女士

    电话:1530261991513762584085

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  • DO-214

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  • BYG10D-E3/TR3
    BYG10D-E3/TR3

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  • 科创特电子(香港)有限公司
    科创特电子(香港)有限公司

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    电话:0755-83014603

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BYG10D-E3/TR3 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 整流器 1.5 Amp 200 Volt
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 产品
  • Standard Recovery Rectifiers
  • 配置
  • 反向电压
  • 100 V
  • 正向电压下降
  • 恢复时间
  • 1.2 us
  • 正向连续电流
  • 2 A
  • 最大浪涌电流
  • 35 A
  • 反向电流 IR
  • 5 uA
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • DO-221AC
  • 封装
  • Reel
BYG10D-E3/TR3 技术参数
  • BYG10D-E3/TR 功能描述:Diode Avalanche 200V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:雪崩 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):1.5A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.15V @ 1.5A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AC,SMA 供应商器件封装:DO-214AC(SMA) 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 BYD77D,115 功能描述:DIODE AVALANCHE 200V 850MA MELF 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 二极管类型:雪崩 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):850mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):980mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:50pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-87 供应商器件封装:MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 BYD77B,115 功能描述:DIODE AVALANCHE 100V 850MA MELF 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 二极管类型:雪崩 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):850mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):980mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 100V 不同?Vr,F 时的电容:50pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-87 供应商器件封装:MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 BYD37M,115 功能描述:DIODE AVALANCHE 1KV 600MA MELF 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 二极管类型:雪崩 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 电流 - 平均整流(Io):600mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.3V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):300ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1000V 不同?Vr,F 时的电容:20pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-87 供应商器件封装:MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 BYD33MGPHE3/73 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 1A Through Hole DO-204AL (DO-41) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.3V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):300ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:3,000 BYG10D-M3/TR3 BYG10G-E3/TR BYG10G-E3/TR3 BYG10GHE3/TR BYG10GHE3/TR3 BYG10GHE3_A/H BYG10GHE3_A/I BYG10GHM3/TR BYG10GHM3/TR3 BYG10GHM3_A/H BYG10GHM3_A/I BYG10G-M3/TR BYG10G-M3/TR3 BYG10J/TR BYG10J-E3/TR BYG10J-E3/TR3 BYG10JHE3/TR BYG10JHE3/TR3
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