BYR29F-600,127

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BYR29F-600,127 技术参数

BYR29-800,127 功能描述:Diode Standard 800V 8A Through Hole TO-220AC 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:停产二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:50 BYR29-600,127 功能描述:Diode Standard 600V 8A Through Hole TO-220AC 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:停产二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:50 BYR16W-1200Q 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 16A TO247-2 制造商:ween semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V 电流 - 平均整流（Io）:16A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:2.7V @ 16A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:105ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-2 供应商器件封装:TO-247-2 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:300 BYQ72EW-200Q 功能描述:DIODE ARRAY GP 200V 15A TO247-3 制造商:ween semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:在售二极管配置:1 对共阴极二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:15A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 15A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:20μA @ 200V 工作温度 - 结:150°C（最大）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:300 BYQ72EK-200Q 功能描述:DIODE ARRAY GP 200V 15A TO3P 制造商:ween semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:在售二极管配置:1 对共阴极二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:15A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 15A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:20μA @ 600V 工作温度 - 结:150°C（最大）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:450 BYS10-35-E3/TR BYS10-35-E3/TR3 BYS10-35HE3/TR BYS10-35HE3/TR3 BYS10-35HE3_A/H BYS10-35-M3/TR BYS10-35-M3/TR3 BYS10-45-E3/TR BYS10-45-E3/TR3 BYS10-45HE3/TR BYS10-45HE3/TR3 BYS10-45HE3_A/H BYS10-45-M3/TR BYS10-45-M3/TR3 BYS11-90-E3/TR BYS11-90-E3/TR3 BYS11-90HE3/TR BYS11-90HE3/TR3