BYS08

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BYS08 技术参数

BYR29X-800PQ 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 8A TO220F 制造商:ween semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.7V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:55ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 整包供应商器件封装:TO-220F 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1,000 BYR29X-800,127 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 8A TO220F 制造商:ween semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.7V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 全封装，隔离接片供应商器件封装:TO-220FP 工作温度 - 结:150°C（最大）基本零件编号:BYR29-800 标准包装:1,000 BYR29X-600,127 功能描述:Diode Standard 600V 8A Through Hole TO-220F 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:停产二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.7V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 全封装，隔离接片供应商器件封装:TO-220F 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:50 BYR29-800,127 功能描述:Diode Standard 800V 8A Through Hole TO-220AC 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:停产二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:50 BYR29-600,127 功能描述:Diode Standard 600V 8A Through Hole TO-220AC 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:停产二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:50 BYS10-35HE3/TR3 BYS10-35HE3_A/H BYS10-35-M3/TR BYS10-35-M3/TR3 BYS10-45-E3/TR BYS10-45-E3/TR3 BYS10-45HE3/TR BYS10-45HE3/TR3 BYS10-45HE3_A/H BYS10-45-M3/TR BYS10-45-M3/TR3 BYS11-90-E3/TR BYS11-90-E3/TR3 BYS11-90HE3/TR BYS11-90HE3/TR3 BYS11-90HE3_A/H BYS11-90HE3_A/I BYS11-90-M3/TR