BYT53-G

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BYT53-G 技术参数

BYT53F-TR 功能描述:Diode Avalanche 300V 1.9A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:300V 电流 - 平均整流（Io）:1.9A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 300V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-57，轴向供应商器件封装:SOD-57 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:5,000 BYT53F-TAP 功能描述:Diode Avalanche 300V 1.9A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:300V 电流 - 平均整流（Io）:1.9A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 300V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-57，轴向供应商器件封装:SOD-57 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:5,000 BYT53D-TR 功能描述:Diode Avalanche 200V 1.9A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:1.9A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-57，轴向供应商器件封装:SOD-57 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:5,000 BYT53D-TAP 功能描述:Diode Avalanche 200V 1.9A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:1.9A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-57，轴向供应商器件封装:SOD-57 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:5,000 BYT53C-TR 功能描述:Diode Avalanche 150V 1.9A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）:1.9A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 150V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-57，轴向供应商器件封装:SOD-57 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:5,000 BYT54G-TR BYT54J-TAP BYT54J-TR BYT54K-TAP BYT54K-TR BYT54M-TAP BYT54M-TR BYT56A-TAP BYT56A-TR BYT56B-TAP BYT56B-TR BYT56D-TAP BYT56D-TR BYT56G-TAP BYT56G-TR BYT56J-TAP BYT56J-TR BYT56K-TAP