BYT60-300R

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说明
操作

BYT60-300RM
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
ST
NULL
NULL
-
全新原装100%正品保证质量

BYT60-300RM
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
ST
NULL
NULL
-
全新原装100%正品保证质量

BYT60-300RM
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
ST
标准封装
13+
-
全新原装100%正品保证质量

BYT60-300R
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
10000
isc,iscsemi
DO-5，Stud
2024+
-
国产品牌，可替代原装

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您是不是要找： BYT60P-1000 BYT60P-400 BYT62-TAP BYT62-TR BYT71-800 BYT77-TAP BYT77-TR BYT78-TAP BYT78-TR

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BYT60-300R 技术参数

BYT56M-TR 功能描述:Diode Avalanche 1000V (1kV) 3A Through Hole SOD-64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:100ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-64，轴向供应商器件封装:SOD-64 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:1 BYT56M-TAP 功能描述:Diode Avalanche 1000V (1kV) 3A Through Hole SOD-64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:100ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-64，轴向供应商器件封装:SOD-64 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:2,500 BYT56K-TR 功能描述:Diode Avalanche 800V 3A Through Hole SOD-64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:100ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-64，轴向供应商器件封装:SOD-64 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:2,500 BYT56K-TAP 功能描述:Diode Avalanche 800V 3A Through Hole SOD-64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:100ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-64，轴向供应商器件封装:SOD-64 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:2,500 BYT56J-TR 功能描述:Diode Avalanche 600V 3A Through Hole SOD-64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:100ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-64，轴向供应商器件封装:SOD-64 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:2,500 BYT79-500,127 BYT79-600,127 BYT79B-600PJ BYT79X-600,127 BYT79X-600PQ BYV10-600PQ BYV10ED-600PJ BYV10EX-600PQ BYV10X-600PQ BYV12-TAP BYV12-TR BYV13-TAP BYV13-TR BYV14-TAP BYV14-TR BYV15-TAP BYV15-TR BYV16-TAP