BYV881000

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BYV881000 技术参数

BYV79E-200,127 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 14A TO220AC 制造商:ween semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:14A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.05V @ 14A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:150°C（最大）基本零件编号:BYV79-200 标准包装:1,000 BYV74W-400,127 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 400V 30A Through Hole TO-247-3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管配置:1 对共阴极二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:30A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.36V @ 30A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:60ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 400V 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:1,000 BYV72EW-200,127 功能描述:DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247-3 制造商:ween semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:在售二极管配置:1 对共阴极二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:30A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 30A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:28ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 200V 工作温度 - 结:150°C（最大）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 基本零件编号:* 标准包装:300 BYV60W-600PQ 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 60A TO247-2 制造商:ween semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:60A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:2V @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:55ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-2 供应商器件封装:TO-247-2 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:300 BYV54V-200 功能描述:Diode Array 2 Independent Standard 200V 50A Chassis Mount ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管配置:2 个独立式二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:50A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:850mV @ 50A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:60ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 200V 安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:100 BYVB32-100-E3/45 BYVB32-100-E3/81 BYVB32-100HE3/45 BYVB32-100HE3/81 BYVB32-150-E3/81 BYVB32-150HE3/45 BYVB32-150HE3/81 BYVB32-200-E3/45 BYVB32-200-E3/81 BYVB32-200HE3/45 BYVB32-200HE3/81 BYVB32-50-E3/45 BYVB32-50-E3/81 BYVB32-50HE3/45 BYVB32-50HE3/81 BYVF32-100-E3/45 BYVF32-100HE3/45 BYVF32-150-E3/45