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BZD27-C130+135

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BZD27-C130+135 技术参数
  • BZD27C12PWHRVG 功能描述:DIODE ZENER 12V 1W SOD123W 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123W 供应商器件封装:SOD123W 标准包装:3,000 BZD27C12PW RVG 功能描述:DIODE ZENER 12V 1W SOD123W 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123W 供应商器件封装:SOD123W 标准包装:3,000 BZD27C12P-M3-18 功能描述:DIODE ZENER 800MW SMF DO219-M3 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101,BZD27C-M 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12V 容差:- 功率 - 最大值:800mW 阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:DO-219AB(SMF) 标准包装:1 BZD27C12P-M3-08 功能描述:Zener Diode 12V 800mW Surface Mount DO-219AB (SMF) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12V 容差:- 功率 - 最大值:800mW 阻抗(最大值)(Zzt):7 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:DO-219AB(SMF) 标准包装:3,000 BZD27C12P-M-18 功能描述:Zener Diode 12V 800mW Surface Mount DO-219AB (SMF) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12V 容差:- 功率 - 最大值:800mW 阻抗(最大值)(Zzt):7 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:DO-219AB(SMF) 标准包装:10,000 BZD27C130P RUG BZD27C130P RVG BZD27C130P-E3-08 BZD27C130P-E3-18 BZD27C130P-HE3-08 BZD27C130P-HE3-18 BZD27C130PHM2G BZD27C130PHMHG BZD27C130PHMQG BZD27C130PHMTG BZD27C130PHR3G BZD27C130PHRFG BZD27C130PHRHG BZD27C130PHRQG BZD27C130PHRTG BZD27C130PHRUG BZD27C130PHRVG BZD27C130P-M-08
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