BZD27-C330135

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BZD27-C330135 技术参数

BZD27C30PWHRVG 功能描述:DIODE ZENER 30V 1W SOD123W 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 22V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123W 供应商器件封装:SOD123W 标准包装:3,000 BZD27C30PW RVG 功能描述:DIODE ZENER 30V 1W SOD123W 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 22V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123W 供应商器件封装:SOD123W 标准包装:3,000 BZD27C30P-M3-18 功能描述:Zener Diode 30V 800mW Surface Mount DO-219AB (SMF) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:- 功率 - 最大值:800mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 22V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:DO-219AB（SMF）标准包装:10,000 BZD27C30P-M3-08 功能描述:Zener Diode 30V 800mW Surface Mount DO-219AB (SMF) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:- 功率 - 最大值:800mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 22V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:DO-219AB（SMF）标准包装:3,000 BZD27C30P-M-18 功能描述:Zener Diode 30V 800mW Surface Mount DO-219AB (SMF) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:- 功率 - 最大值:800mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 22V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:DO-219AB（SMF）标准包装:10,000 BZD27C33P RUG BZD27C33P RVG BZD27C33P-E3-08 BZD27C33P-E3-18 BZD27C33P-HE3-08 BZD27C33P-HE3-18 BZD27C33PHM2G BZD27C33PHMHG BZD27C33PHMQG BZD27C33PHMTG BZD27C33PHR3G BZD27C33PHRFG BZD27C33PHRHG BZD27C33PHRQG BZD27C33PHRTG BZD27C33PHRUG BZD27C33PHRVG BZD27C33P-M-08