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BZD27C30P/GS08

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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  • 深圳市艾飞琪电子科技有限公司
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BZD27C30P/GS08 技术参数
  • BZD27C30P RVG 功能描述:DIODE ZENER 30V 1W SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 22V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:Sub SMA 标准包装:1 BZD27C30P RUG 功能描述:DIODE ZENER 30V 1W SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30V 容差:±6.66% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 22V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:Sub SMA 标准包装:1,800 BZD27C30P RTG 功能描述:DIODE ZENER 30V 1W SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30V 容差:±6.66% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 22V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:Sub SMA 标准包装:7,500 BZD27C30P RQG 功能描述:DIODE ZENER 30V 1W SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30V 容差:±6.66% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 22V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:Sub SMA 标准包装:10,000 BZD27C30P RHG 功能描述:DIODE ZENER 30V 1W SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30V 容差:±6.66% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 22V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:Sub SMA 标准包装:10,000 BZD27C30PHRFG BZD27C30PHRHG BZD27C30PHRQG BZD27C30PHRTG BZD27C30PHRUG BZD27C30PHRVG BZD27C30P-M-08 BZD27C30P-M-18 BZD27C30P-M3-08 BZD27C30P-M3-18 BZD27C30PW RVG BZD27C30PWHRVG BZD27C33P M2G BZD27C33P MHG BZD27C33P MQG BZD27C33P MTG BZD27C33P R3G BZD27C33P RFG
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