BZM55B15T/R7"

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BZM55B15T/R7" 技术参数

BZM55B13-TR3 功能描述:Zener Diode 13V 500mW Surface Mount MicroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:13V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:110 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 10V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，无引线供应商器件封装:MicroMELF 标准包装:10,000 BZM55B13-TR 功能描述:Zener Diode 13V 500mW Surface Mount MicroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:13V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:110 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 10V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，无引线供应商器件封装:MicroMELF 标准包装:2,500 BZM55B12-TR3 功能描述:Zener Diode 12V 500mW Surface Mount MicroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，无引线供应商器件封装:MicroMELF 标准包装:10,000 BZM55B12-TR 功能描述:Zener Diode 12V 500mW Surface Mount MicroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，无引线供应商器件封装:MicroMELF 标准包装:2,500 BZM55B11-TR3 功能描述:Zener Diode 11V 500mW Surface Mount MicroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:70 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，无引线供应商器件封装:MicroMELF 标准包装:10,000 BZM55B22-TR3 BZM55B24-TR BZM55B24-TR3 BZM55B27-TR BZM55B27-TR3 BZM55B2V4-TR BZM55B2V4-TR3 BZM55B2V7-TR BZM55B2V7-TR3 BZM55B30-TR BZM55B30-TR3 BZM55B33-TR BZM55B33-TR3 BZM55B36-TR BZM55B36-TR3 BZM55B39-TR BZM55B39-TR3 BZM55B3V0-TR