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BZM55B2V2

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  • Zener diode
BZM55B2V2 技术参数
  • BZM55B27-TR3 功能描述:Zener Diode 27V 500mW Surface Mount MicroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):27V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):220 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 20V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD,无引线 供应商器件封装:MicroMELF 标准包装:10,000 BZM55B27-TR 功能描述:Zener Diode 27V 500mW Surface Mount MicroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):27V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):220 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 20V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD,无引线 供应商器件封装:MicroMELF 标准包装:2,500 BZM55B24-TR3 功能描述:Zener Diode 24V 500mW Surface Mount MicroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):24V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):220 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 18V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD,无引线 供应商器件封装:MicroMELF 标准包装:10,000 BZM55B24-TR 功能描述:Zener Diode 24V 500mW Surface Mount MicroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):24V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):220 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 18V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD,无引线 供应商器件封装:MicroMELF 标准包装:2,500 BZM55B22-TR3 功能描述:Zener Diode 22V 500mW Surface Mount MicroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):22V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):220 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 16V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD,无引线 供应商器件封装:MicroMELF 标准包装:10,000 BZM55B36-TR3 BZM55B39-TR BZM55B39-TR3 BZM55B3V0-TR BZM55B3V0-TR3 BZM55B3V3-TR BZM55B3V3-TR3 BZM55B3V6-TR BZM55B3V6-TR3 BZM55B3V9-TR BZM55B3V9-TR3 BZM55B43-TR BZM55B43-TR3 BZM55B47-TR BZM55B47-TR3 BZM55B4V3-TR BZM55B4V3-TR3 BZM55B4V7-TR
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