BZT03D68TAP

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BZT03D68TAP 技术参数

BZT03D62-TR 功能描述:TVS DIODE 49VWM 89VC SOD57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:49V 电压 - 击穿（最小值）:55.8V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:89V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:3.5A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-57，轴向供应商器件封装:SOD-57 标准包装:5,000 BZT03D62-TAP 功能描述:TVS DIODE 49VWM 89VC SOD57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:49V 电压 - 击穿（最小值）:55.8V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:89V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:3.5A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-57，轴向供应商器件封装:SOD-57 标准包装:5,000 BZT03D56-TR 功能描述:TVS DIODE 44.5VWM 81VC SOD57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:44.5V 电压 - 击穿（最小值）:50.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:81V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:3.8A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-57，轴向供应商器件封装:SOD-57 标准包装:5,000 BZT03D56-TAP 功能描述:TVS DIODE 44.5VWM 81VC SOD57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:44.5V 电压 - 击穿（最小值）:50.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:81V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:3.8A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-57，轴向供应商器件封装:SOD-57 标准包装:5,000 BZT03D51-TR 功能描述:TVS DIODE 40VWM 73VC SOD57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:40V 电压 - 击穿（最小值）:45.9V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:73V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:4.2A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-57，轴向供应商器件封装:SOD-57 标准包装:5,000 BZT03D8V2-TAP BZT03D8V2-TR BZT03D91-TAP BZT03D91-TR BZT03D9V1-TAP BZT03D9V1-TR BZT52A15-E3-08 BZT52A15-E3-18 BZT52A15-G3-08 BZT52A15-G3-18 BZT52B10 RHG BZT52B10-E3-08 BZT52B10-E3-18 BZT52B10-G RHG BZT52B10-G3-08 BZT52B10-G3-18 BZT52B10-HE3-08 BZT52B10-HE3-18