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BZT52C3V0T-13

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BZT52C3V0T-13 技术参数

BZT52C3V0S-TP 功能描述:Zener Diode 3V 200mW ±7% Surface Mount SOD-323 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3V 容差:±7% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:95 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 标准包装:1 BZT52C3V0S-7-F 功能描述:Zener Diode 3V 200mW ±7% Surface Mount SOD-323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3V 容差:±7% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:95 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 标准包装:1 BZT52C3V0S-7 功能描述:Zener Diode 3V 200mW ±7% Surface Mount SOD-323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3V 容差:±7% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:95 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 标准包装:1 BZT52C3V0S RRG 功能描述:DIODE ZENER 3V 200MW SOD323F 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3V 容差:±5% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:9μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323F 标准包装:1 BZT52C3V0LP-7 功能描述:Zener Diode 3V 250mW ±7% Surface Mount 2-DFN1006 (1.0x0.6) 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3V 容差:±7% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:95 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-UFDFN 供应商器件封装:2-DFN1006（1.0x0.6）标准包装:1 BZT52C3V3-E3-18 BZT52C3V3-G RHG BZT52C3V3-G3-08 BZT52C3V3-G3-18 BZT52C3V3-HE3-08 BZT52C3V3-HE3-18 BZT52-C3V3J BZT52C3V3K RKG BZT52C3V3LP-7 BZT52C3V3S RRG BZT52C3V3S-7 BZT52C3V3S-7-F BZT52C3V3S-TP BZT52C3V3T-7 BZT52C3V3-TP BZT52C3V3T-TP BZT52-C3V3X BZT52C3V6 RHG