BZT52C6V8LP-7DIODES

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BZT52C6V8LP-7DIODES 技术参数

BZT52C6V8LP-7 功能描述:Zener Diode 6.8V 250mW ±6% Surface Mount 2-DFN1006 (1.0x0.6) 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±6% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-UFDFN 供应商器件封装:2-DFN1006（1.0x0.6）标准包装:1 BZT52C6V8K RKG 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 200MW SOD523F 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 3.5V 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:SOD-523F 标准包装:3,000 BZT52-C6V8J 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 350MW SOD123 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±5.9% 功率 - 最大值:350mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 标准包装:10,000 BZT52C6V8-HE3-18 功能描述:Zener Diode 6.8V 410mW ±5% Surface Mount SOD-123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:410mW 阻抗（最大值）（Zzt）:4.5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 标准包装:10,000 BZT52C6V8-HE3-08 功能描述:Zener Diode 6.8V 410mW ±5% Surface Mount SOD-123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:410mW 阻抗（最大值）（Zzt）:4.5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 标准包装:3,000 BZT52C75 RHG BZT52C75-E3-08 BZT52C75-E3-18 BZT52C75-G3-08 BZT52C75-G3-18 BZT52C75-HE3-08 BZT52C75-HE3-18 BZT52-C75J BZT52C75K RKG BZT52C75S RRG BZT52-C75X BZT52C7V5 RHG BZT52C7V5-13 BZT52C7V5-7 BZT52C7V5-7-F BZT52C7V5-E3-08 BZT52C7V5-E3-18 BZT52C7V5-G RHG