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BZT52C9V1LP-7-F

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BZT52C9V1LP-7-F 技术参数

BZT52C9V1LP-7 功能描述:Zener Diode 9.1V 250mW ±6% Surface Mount 2-DFN1006 (1.0x0.6) 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±6% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-UFDFN 供应商器件封装:2-DFN1006（1.0x0.6）标准包装:1 BZT52C9V1K RKG 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 200MW SOD523F 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 6V 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:SOD-523F 标准包装:3,000 BZT52-C9V1J 功能描述:DIODE ZENER 9.05V 350MW SOD123 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.05V 容差:±6.1% 功率 - 最大值:350mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 标准包装:10,000 BZT52C9V1-HE3-18 功能描述:Zener Diode 9.1V 410mW ±5% Surface Mount SOD-123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:410mW 阻抗（最大值）（Zzt）:4.8 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 标准包装:10,000 BZT52C9V1-HE3-08 功能描述:Zener Diode 9.1V 410mW ±5% Surface Mount SOD-123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:410mW 阻抗（最大值）（Zzt）:4.8 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 标准包装:3,000 BZT52H-B11,115 BZT52H-B12,115 BZT52H-B13,115 BZT52H-B15,115 BZT52H-B16,115 BZT52H-B18,115 BZT52H-B20,115 BZT52H-B22,115 BZT52H-B24,115 BZT52H-B27,115 BZT52H-B2V4,115 BZT52H-B2V7,115 BZT52H-B30,115 BZT52H-B33,115 BZT52H-B36,115 BZT52H-B39,115 BZT52H-B3V0,115 BZT52H-B3V3,115