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BZT55B75-GS08

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  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

    电话:18229386512

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

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  • 原装正品 欢迎咨询

  • BZT55B75-GS08
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  • 深圳廊盛科技有限公司
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    联系人:严艺浦

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  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

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  • BZT55B75-GS08
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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

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    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

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  • 全新原装现货

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

    电话:19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

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  • BZT55B75-GS08
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  • 深圳市华雄半导体(集团)有限公司
    深圳市华雄半导体(集团)有限公司

    联系人:雷精云

    电话:18988598856

    地址:深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层

    资质:营业执照

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  • 功能描述
  • 稳压二极管 75 Volt 0.5W 2%
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 齐纳电压
  • 12 V
  • 电压容差
  • 5 %
  • 电压温度系数
  • 0.075 % / K
  • 齐纳电流
  • 功率耗散
  • 3 W
  • 最大反向漏泄电流
  • 3 uA
  • 最大齐纳阻抗
  • 7 Ohms
  • 最大工作温度
  • + 150 C
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • DO-214AC
  • 封装
  • Reel
BZT55B75-GS08 技术参数
  • BZT55B75 L1G 功能描述:DIODE ZENER 75V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):75V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):170 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 56V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:2,500 BZT55B75 L0G 功能描述:DIODE ZENER 75V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):75V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):170 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 56V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:10,000 BZT55B6V8-GS18 功能描述:Zener Diode 6.8V 500mW ±2% Surface Mount SOD-80 QuadroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):8 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-80 变式 供应商器件封装:SOD-80 QuadroMELF 标准包装:10,000 BZT55B6V8-GS08 功能描述:Zener Diode 6.8V 500mW ±2% Surface Mount SOD-80 QuadroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):8 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-80 变式 供应商器件封装:SOD-80 QuadroMELF 标准包装:2,500 BZT55B6V8 L1G 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):8 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:2,500 BZT55B9V1 L0G BZT55B9V1 L1G BZT55B9V1-GS08 BZT55B9V1-GS18 BZT55C10 L0G BZT55C10 L1G BZT55C10-GS08 BZT55C10-GS18 BZT55C11 L0G BZT55C11 L1G BZT55C11-GS08 BZT55C11-GS18 BZT55C12 L0G BZT55C12 L1G BZT55C12-GS08 BZT55C12-GS18 BZT55C13 L0G BZT55C13 L1G
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