BZT55C8V2S08

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BZT55C8V2S08 技术参数

BZT55C8V2-GS18 功能描述:Zener Diode 8.2V 500mW ±5% Surface Mount SOD-80 QuadroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 6.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-80 变式供应商器件封装:SOD-80 QuadroMELF 标准包装:10,000 BZT55C8V2-GS08 功能描述:Zener Diode 8.2V 500mW ±5% Surface Mount SOD-80 QuadroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 6.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-80 变式供应商器件封装:SOD-80 QuadroMELF 标准包装:2,500 BZT55C8V2 L1G 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 6.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:2,500 BZT55C8V2 L0G 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 6.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:10,000 BZT55C7V5-GS18 功能描述:Zener Diode 7.5V 500mW ±5% Surface Mount SOD-80 QuadroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-80 变式供应商器件封装:SOD-80 QuadroMELF 标准包装:10,000 BZT585B16T-7 BZT585B18T-7 BZT585B20T-7 BZT585B22T-7 BZT585B24T-7 BZT585B27T-7 BZT585B2V4T-7 BZT585B2V7T-7 BZT585B30T-7 BZT585B33T-7 BZT585B36T-7 BZT585B39T-7 BZT585B3V3T-7 BZT585B3V6T-7 BZT585B3V9T-7 BZT585B43T-7 BZT585B4V3T-7 BZT585B4V7T-7