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BZV49-C51115

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BZV49-C51115 技术参数

BZV49-C51,115 功能描述:DIODE ZENER 51V 1W SOT89 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:180 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 35.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 基本零件编号:BZV49-C51 标准包装:1 BZV49-C4V7,115 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 1W SOT89 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 基本零件编号:BZV49-C4V7 标准包装:1 BZV49-C4V3,135 功能描述:Zener Diode 4.3V 1W ±5% Surface Mount SOT-89-3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:90 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 标准包装:4,000 BZV49-C4V3,115 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 1W SOT89 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:90 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 基本零件编号:BZV49-C4V3 标准包装:1 BZV49-C47,115 功能描述:DIODE ZENER 47V 1W SOT89 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:47V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:170 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 32.9V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 基本零件编号:BZV49-C47 标准包装:1 BZV49-C8V2,115 BZV49-C9V1,115 BZV55B10 L0G BZV55B10 L1G BZV55-B10,115 BZV55B11 L0G BZV55B11 L1G BZV55-B11,115 BZV55-B11,135 BZV55B12 L0G BZV55B12 L1G BZV55-B12,115 BZV55-B12,135 BZV55B13 L0G BZV55B13 L1G BZV55-B13,115 BZV55B15 L0G BZV55B15 L1G