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BZV55-B66

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BZV55-B66 技术参数

BZV55-B62,115 功能描述:Zener Diode 62V 500mW ±2% Surface Mount SOD-80C 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:62V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:215 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 43.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:SOD-80C 标准包装:2,500 BZV55B62 L1G 功能描述:DIODE ZENER 62V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:62V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:150 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 47V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:2,500 BZV55B62 L0G 功能描述:DIODE ZENER 62V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:62V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:150 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 47V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:10,000 BZV55-B5V6,135 功能描述:Zener Diode 5.6V 500mW ±2% Surface Mount SOD-80C 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:SOD-80C 标准包装:10,000 BZV55-B5V6,115 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 500MW SOD80C 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:SOD-80C 基本零件编号:BZV55-B5V6 标准包装:1 BZV55-B6V8,115 BZV55B75 L0G BZV55B75 L1G BZV55-B75,115 BZV55B7V5 L0G BZV55B7V5 L1G BZV55-B7V5,115 BZV55-B7V5,135 BZV55B8V2 L0G BZV55B8V2 L1G BZV55-B8V2,115 BZV55-B8V2,135 BZV55B9V1 L0G BZV55B9V1 L1G BZV55-B9V1,115 BZV55C10 BZV55C10 L0G BZV55C10 L1G