BZV55B7V5,115

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BZV55B7V5,115 技术参数

BZV55B7V5 L1G 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:7.5V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:2,500 BZV55B7V5 L0G 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:7.5V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:10,000 BZV55-B75,115 功能描述:Zener Diode 75V 500mW ±2% Surface Mount SOD-80C 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:75V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:255 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 52.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:SOD-80C 标准包装:2,500 BZV55B75 L1G 功能描述:DIODE ZENER 75V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:75V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:170 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 56V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:2,500 BZV55B75 L0G 功能描述:DIODE ZENER 75V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:75V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:170 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 56V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:10,000 BZV55C10 BZV55C10 L0G BZV55C10 L1G BZV55-C10,115 BZV55-C10,135 BZV55C10-TP BZV55C11 BZV55C11 L0G BZV55C11 L1G BZV55-C11,115 BZV55-C11,135 BZV55C11-TP BZV55C12 BZV55C12 L0G BZV55C12 L1G BZV55-C12,115 BZV55-C12,135 BZV55C12-TP