BZV55C12-12V

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BZV55C12-12V
深圳市毅创辉电子科技有限公司
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地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
750
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LL34
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BZV55C12-12V
深圳市华芯盛世科技有限公司
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地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
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BZV55C12-12V 技术参数

BZV55-C12,135 功能描述:Zener Diode 12V 500mW ±5% Surface Mount SOD-80C 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:SOD-80C 标准包装:10,000 BZV55-C12,115 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW SOD80C 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:SOD-80C 基本零件编号:BZV55C12 标准包装:1 BZV55C12 L1G 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:2,500 BZV55C12 L0G 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:10,000 BZV55C12 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 BZV55-C15,115 BZV55-C15,135 BZV55C15-TP BZV55C16 BZV55C16 L0G BZV55C16 L1G BZV55-C16,115 BZV55-C16,135 BZV55C16-TP BZV55C18 L0G BZV55C18 L1G BZV55-C18,115 BZV55-C18,135 BZV55C18-TP BZV55C20 BZV55C20 L0G BZV55C20 L1G BZV55-C20,115