BZX55A5V1-1K

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BZX55A5V1-1K 技术参数

BZX55A4V7-TAP 功能描述:Zener Diode 4.7V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:散装零件状态:上次购买时间电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.7V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 BZX55A27-TAP 功能描述:Zener Diode 27V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:散装零件状态:上次购买时间电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:27V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 20V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 BZX55A24-TAP 功能描述:Zener Diode 24V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:散装零件状态:上次购买时间电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:24V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 18V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 BZX55A22-TAP 功能描述:Zener Diode 22V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:散装零件状态:上次购买时间电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:22V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:55 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 16V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 BZX55A20-TAP 功能描述:Zener Diode 20V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:散装零件状态:上次购买时间电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:20V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:55 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 15V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 BZX55B10-TAP BZX55B10-TR BZX55B11 A0G BZX55B11-TAP BZX55B11-TR BZX55B12 A0G BZX55B12-TAP BZX55B12-TR BZX55B13 A0G BZX55B13-TAP BZX55B13-TR BZX55B15 A0G BZX55B15-TAP BZX55B15-TR BZX55B16 A0G BZX55B16-TAP BZX55B16-TR BZX55B18 A0G