BZX79-C9V1TR

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BZX79-C9V1TR 技术参数

BZX79C9V1-T50A 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 基本零件编号:BZX79C9V1 标准包装:1 BZX79C9V1_T50R 功能描述:Zener Diode 9.1V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 BZX79C9V1_T50A 功能描述:Zener Diode 9.1V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 BZX79-C9V1,143 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:ALF2 基本零件编号:BZX79C9V1 标准包装:1 BZX79-C9V1,133 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:ALF2 基本零件编号:BZX79C9V1 标准包装:1 BZX84-A22,215 BZX84-A22,235 BZX84-A24,215 BZX84-A27,215 BZX84-A2V4,215 BZX84-A2V4,235 BZX84-A2V7,215 BZX84-A30,215 BZX84-A33,215 BZX84-A36,215 BZX84-A39,215 BZX84-A3V0,215 BZX84-A3V3,215 BZX84-A3V6,215 BZX84-A3V9,215 BZX84-A43,215 BZX84-A4V3,215 BZX84-A4V7,215