BZX79C6V8_Q

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功能描述
稳压二极管 6.8V 0.5W Zener
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 % / K
齐纳电流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-214AC
封装
Reel

BZX79C6V8_Q 技术参数

BZX79-C6V8,143 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:ALF2 基本零件编号:BZX79C6V8 标准包装:1 BZX79-C6V8,133 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:ALF2 标准包装:1 BZX79-C6V8,113 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:ALF2 标准包装:1 BZX79C6V8 A0G 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 BZX79C6V8 功能描述:Zener Diode 6.8V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1,000 BZX79-C7V5,113 BZX79-C7V5,133 BZX79-C7V5,143 BZX79C7V5_T50A BZX79C7V5_T50R BZX79C7V5-T50A BZX79C8V2 BZX79C8V2 A0G BZX79-C8V2,113 BZX79-C8V2,133 BZX79-C8V2,143 BZX79C8V2_T50A BZX79C8V2_T50R BZX79C8V2-T50A BZX79C9V1 BZX79C9V1 A0G BZX79-C9V1,113 BZX79-C9V1,133