BZX84C18/E9

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制造商
Vishay Semiconductors
功能描述
Diode Zener Single 17.95V 5% 350mW 3-Pin SOT-23 T/R

BZX84C18/E9 技术参数

BZX84-C18/DG/B3,23 功能描述:DIODE ZENER 17.95V 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 零件状态:停產电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:17.95V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:45 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 12.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB 标准包装:10,000 BZX84-C18/DG/B3,21 功能描述:DIODE ZENER 17.95V 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 零件状态:停產电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:17.95V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:45 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 12.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB 标准包装:3,000 BZX84-C18,235 功能描述:DIODE ZENER 18V 250MW SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:45 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 12.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）基本零件编号:BZX84C18 标准包装:1 BZX84-C18,215 功能描述:DIODE ZENER 18V 250MW SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:45 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 12.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）基本零件编号:BZX84C18 标准包装:1 BZX84C18 TR 功能描述:Zener Diode 18V 350mW ±5% Surface Mount SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:350mW 阻抗（最大值）（Zzt）:45 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 12.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 BZX84C18ET3 BZX84C18-G3-08 BZX84C18-G3-18 BZX84C18-HE3-08 BZX84C18-HE3-18 BZX84C18LT1 BZX84C18LT1G BZX84C18LT3 BZX84C18LT3G BZX84C18S-7 BZX84C18S-7-F BZX84C18T-7-F BZX84C18-TP BZX84C18TS-7-F BZX84C18VLFHT116 BZX84C18W-7 BZX84C18W-7-F BZX84C20