BZX84C3V6ET1

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BZX84C3V6ET1 技术参数

BZX84C3V6-E3-18 功能描述:Zener Diode 3.6V 300mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:300mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:10,000 BZX84C3V6-E3-08 功能描述:Zener Diode 3.6V 300mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:300mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:3,000 BZX84C3V6-7-F 功能描述:Zener Diode 3.6V 300mW ±6% Surface Mount SOT-23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.6V 容差:±6% 功率 - 最大值:300mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 BZX84C3V6-7 功能描述:Zener Diode 3.6V 350mW ±6% Surface Mount SOT-23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.6V 容差:±6% 功率 - 最大值:350mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 BZX84C3V6_D87Z 功能描述:Zener Diode 3.6V 350mW ±6% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.6V 容差:±6% 功率 - 最大值:350mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:10,000 BZX84C3V6T-7-F BZX84C3V6-TP BZX84C3V6TS-7-F BZX84C3V6W-7 BZX84C3V6W-7-F BZX84C3V9 BZX84C3V9 RFG BZX84C3V9 TR BZX84-C3V9,215 BZX84-C3V9,235 BZX84-C3V9/DG/B3,2 BZX84-C3V9/DG/B3:2 BZX84-C3V9/LF1R BZX84C3V9_D87Z BZX84C3V9-7 BZX84C3V9-7-F BZX84C3V9-E3-08 BZX84C3V9-E3-18