BZX84C5V6W-7-FDIODES

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BZX84C5V6W-7-FDIODES 技术参数

BZX84C5V6W-7-F 功能描述:Zener Diode 5.6V 200mW ±7% Surface Mount SOT-323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.6V 容差:±7% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 BZX84C5V6W-7 功能描述:Zener Diode 5.6V 200mW ±7% Surface Mount SOT-323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.6V 容差:±7% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 BZX84C5V6TS-7-F 功能描述:Zener Diode Array 3 Independent 5.6V 200mW ±6% SOT-363 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效配置:3 个独立式电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.6V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:1 BZX84C5V6-TP 功能描述:Zener Diode 5.6V 350mW ±7% Surface Mount SOT-23 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.6V 容差:±7% 功率 - 最大值:350mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 BZX84C5V6TA 功能描述:Zener Diode 5.6V 350mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:350mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 BZX84C62-HE3-18 BZX84C62LT1 BZX84C62LT1G BZX84-C68,215 BZX84-C68,235 BZX84C68-E3-08 BZX84C68-E3-18 BZX84C68-G3-08 BZX84C68-G3-18 BZX84C68-HE3-08 BZX84C68-HE3-18 BZX84C68LT1 BZX84C68LT1G BZX84C6V2 BZX84C6V2 RFG BZX84C6V2 TR BZX84-C6V2,215 BZX84-C6V2,235