BZX84J-B11115

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制造商
NXP
功能描述
制造商
NXP Semiconductors
功能描述

BZX84J-B11115 技术参数

BZX84J-B11,115 功能描述:Zener Diode 11V 550mW ±2% Surface Mount SOD-323F 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±2% 功率 - 最大值:550mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323F 标准包装:3,000 BZX84J-B10,115 功能描述:DIODE ZENER 10V 550MW SOD323F 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 容差:±2% 功率 - 最大值:550mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323F 标准包装:1 BZX84C9V1W-TP 功能描述:Zener Diode 9.1V 200mW ±6% Surface Mount SOT-323 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 BZX84C9V1W-7-F 功能描述:Zener Diode 9.1V 200mW ±6% Surface Mount SOT-323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 BZX84C9V1W-7 功能描述:Zener Diode 9.1V 200mW ±6% Surface Mount SOT-323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 BZX84J-B2V4,115 BZX84J-B2V7,115 BZX84J-B30,115 BZX84J-B33,115 BZX84J-B36,115 BZX84J-B39,115 BZX84J-B3V0,115 BZX84J-B3V3,115 BZX84J-B3V6,115 BZX84J-B3V9,115 BZX84J-B43,115 BZX84J-B43/DG/B3,1 BZX84J-B47,115 BZX84J-B4V3,115 BZX84J-B4V7,115 BZX84J-B51,115 BZX84J-B56,115 BZX84J-B5V1,115