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BZX84J-B20115

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BZX84J-B20115 技术参数

BZX84J-B20,115 功能描述:Zener Diode 20V 550mW ±2% Surface Mount SOD-323F 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:20V 容差:±2% 功率 - 最大值:550mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 14V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323F 标准包装:3,000 BZX84J-B18,115 功能描述:DIODE ZENER 18V 550MW SOD323F 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±2% 功率 - 最大值:550mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 12.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323F 标准包装:1 BZX84J-B16,115 功能描述:DIODE ZENER 16V 550MW SOD323F 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:16V 容差:±2% 功率 - 最大值:550mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 11.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 100mA 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323F 标准包装:1 BZX84J-B15,115 功能描述:DIODE ZENER 15V 550MW SOD323F 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:15V 容差:±2% 功率 - 最大值:550mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 10.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323F 基本零件编号:BZX84JB15 标准包装:1 BZX84J-B13,115 功能描述:DIODE ZENER 13V 550MW SOD323F 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:13V 容差:±2% 功率 - 最大值:550mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323F 基本零件编号:BZX84JB13 标准包装:1 BZX84J-B3V0,115 BZX84J-B3V3,115 BZX84J-B3V6,115 BZX84J-B3V9,115 BZX84J-B43,115 BZX84J-B43/DG/B3,1 BZX84J-B47,115 BZX84J-B4V3,115 BZX84J-B4V7,115 BZX84J-B51,115 BZX84J-B56,115 BZX84J-B5V1,115 BZX84J-B5V6,115 BZX84J-B5V6/DG/B2, BZX84J-B62,115 BZX84J-B68,115 BZX84J-B6V2,115 BZX84J-B6V8,115