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BZX84J-B6V8115

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制造商
Rochester Electronics LLC
功能描述
制造商
NXP
功能描述
制造商
NXP Semiconductors
功能描述

BZX84J-B6V8115 技术参数

BZX84J-B6V8,115 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 550MW SOD323F 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±2% 功率 - 最大值:550mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323F 标准包装:1 BZX84J-B6V2,115 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 550MW SOD323F 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:550mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323F 标准包装:1 BZX84J-B68,115 功能描述:Zener Diode 68V 550mW ±2% Surface Mount SOD-323F 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:68V 容差:±2% 功率 - 最大值:550mW 阻抗（最大值）（Zzt）:160 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 47.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323F 标准包装:3,000 BZX84J-B62,115 功能描述:Zener Diode 62V 550mW ±2% Surface Mount SOD-323F 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:62V 容差:±2% 功率 - 最大值:550mW 阻抗（最大值）（Zzt）:140 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 43.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323F 标准包装:3,000 BZX84J-B5V6/DG/B2, 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 550MW SC90 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 零件状态:停產电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:550mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 100mA 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SC-90 标准包装:3,000 BZX84J-C13,115 BZX84J-C15,115 BZX84J-C16,115 BZX84J-C18,115 BZX84J-C20,115 BZX84J-C22,115 BZX84J-C24,115 BZX84J-C27,115 BZX84J-C27,135 BZX84J-C2V4,115 BZX84J-C2V7,115 BZX84J-C30,115 BZX84J-C33,115 BZX84J-C36,115 BZX84J-C39,115 BZX84J-C3V0,115 BZX84J-C3V3,115 BZX84J-C3V6,115