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BZX84J-C5V6115

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述

BZX84J-C5V6115 技术参数

BZX84J-C5V6,115 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 550MW SOD323F 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:550mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323F 基本零件编号:BZX84JC5V6 标准包装:1 BZX84J-C5V1/DG/B2, 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 550MW SC90 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 零件状态:停產电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:550mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 100mA 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SC-90 标准包装:3,000 BZX84J-C5V1,115 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 550MW SOD323F 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:550mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323F 基本零件编号:BZX84JC5V1 标准包装:1 BZX84J-C56,115 功能描述:Zener Diode 56V 550mW ±5% Surface Mount SOD-323F 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±5% 功率 - 最大值:550mW 阻抗（最大值）（Zzt）:120 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 39.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323F 标准包装:3,000 BZX84J-C51,115 功能描述:Zener Diode 51V 550mW ±5% Surface Mount SOD-323F 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:550mW 阻抗（最大值）（Zzt）:110 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 35.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323F 标准包装:3,000 BZX85B100-TR BZX85B10-TAP BZX85B10-TR BZX85B11-TAP BZX85B11-TR BZX85B12-TAP BZX85B12-TR BZX85B13-TAP BZX85B13-TR BZX85B15-TAP BZX85B15-TR BZX85B16-TAP BZX85B16-TR BZX85-B180 BZX85B18-TAP BZX85B18-TR BZX85B20-TAP BZX85B20-TR