BZX85-18V

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BZX85-18V 技术参数

BZX84J-C9V1,115 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 550MW SOD323F 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:550mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323F 标准包装:1 BZX84J-C8V2,115 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 550MW SOD323F 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:550mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:700nA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323F 基本零件编号:BZX84JC8V2 标准包装:1 BZX84J-C7V5,115 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 550MW SOD323F 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:550mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 100mA 工作温度:150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323F 标准包装:1 BZX84J-C75,115 功能描述:Zener Diode 75V 550mW ±5% Surface Mount SOD-323F 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:75V 容差:±5% 功率 - 最大值:550mW 阻抗（最大值）（Zzt）:175 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 52.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323F 标准包装:3,000 BZX84J-C6V8,115 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 550MW SOD323F 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:550mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323F 基本零件编号:BZX84JC6V8 标准包装:1 BZX85B13-TR BZX85B15-TAP BZX85B15-TR BZX85B16-TAP BZX85B16-TR BZX85-B180 BZX85B18-TAP BZX85B18-TR BZX85B20-TAP BZX85B20-TR BZX85B22-TAP BZX85B22-TR BZX85B24-TAP BZX85B24-TR BZX85B27-TAP BZX85B27-TR BZX85B2V7-TAP BZX85B2V7-TR