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BZY55C3V6

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  • 功能描述
  • 稳压二极管 1500W 20V 5% UNI TRANSZORB-TVS
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 齐纳电压
  • 12 V
  • 电压容差
  • 5 %
  • 电压温度系数
  • 0.075 % / K
  • 齐纳电流
  • 功率耗散
  • 3 W
  • 最大反向漏泄电流
  • 3 uA
  • 最大齐纳阻抗
  • 7 Ohms
  • 最大工作温度
  • + 150 C
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • DO-214AC
  • 封装
  • Reel
BZY55C3V6 技术参数
  • BZY55C3V3 RYG 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 500MW 0805 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):85 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805(2012 公制) 供应商器件封装:805 标准包装:5,000 BZY55C3V0 RYG 功能描述:DIODE ZENER 3V 500MW 0805 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):85 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:4μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805(2012 公制) 供应商器件封装:805 标准包装:5,000 BZY55C36 RYG 功能描述:DIODE ZENER 36V 500MW 0805 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):36V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 27V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805(2012 公制) 供应商器件封装:805 标准包装:5,000 BZY55C33 RYG 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW 0805 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 24V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805(2012 公制) 供应商器件封装:805 标准包装:5,000 BZY55C30 RYG 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW 0805 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 22V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805(2012 公制) 供应商器件封装:805 标准包装:5,000 BZY55C8V2 RYG BZY55C9V1 RYG BZY91C10N BZY91C30N BZY91C68R BZY93C36R BZZ-100 C 1332/41 2501 C.5BL6 C.5DG6 C.5LG6 C.5LG6-F C.5WH6-F C.5WH6WR C.75BL6-F C.75LG6 C.75LG6-F C.75WH6-F
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