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C1ZAZ1460Q

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  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-837892031333298700517727932378

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  • 深圳市博盛源科技有限公司
    深圳市博盛源科技有限公司

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C1ZAZ1460Q 技术参数
  • C1Z200B TR 功能描述:Zener Diode 200V 1W ±5% Through Hole DO-41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):200V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):1500 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 152V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 500mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 C1Z180B TR 功能描述:Zener Diode 180V 1W ±5% Through Hole DO-41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):180V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):1200 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 136.8V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 500mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 C1Z100B TR 功能描述:Zener Diode 100V 1W ±5% Through Hole DO-41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):100V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):350 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 76V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 500mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 C-1X 功能描述:15H Unshielded Wirewound Inductor 20mA 1 kOhm Nonstandard 制造商:triad magnetics 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:- 电感:15H 容差:-20%,+50% 额定电流:20mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻(DCR):1 千欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:- 频率 - 测试:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:2.062" 长 x 1.250" 宽(52.37mm x 31.75mm) 高度 - 安装(最大值):1.187"(30.15mm) 标准包装:10 C1WH6WR 功能描述:COVER DUCT WR PVC WH 1"X 6' 制造商:panduit corp 系列:PANDUCT? C 型 零件状态:过期 配件类型:外盖 - 线槽,咬接式 配套使用产品/相关产品:Panduit 线槽 - 开槽式,实心式和圆孔式 - D1X,F1X,FS1X,G1X 和 S1X 型 高度:0.350"(8.89mm) 宽度:1.250"(31.75mm) 长度:6.00'(1.83m) 颜色:白 标准包装:6 C-2 131.0720K-P C-2 131.0720K-P:PBFREE C-2 149.4750K-P C-2 149.4750K-P:PBFREE C-2 20.0000K-P C-2 20.0000K-P:PBFREE C-2 25.6000K-P C-2 25.6000K-P:PBFREE C-2 26.6670K-P C-2 26.6670K-P:PBFREE C-2 28.0000K-P C-2 28.0000K-P:PBFREE C-2 30.0000K-P C-2 30.0000K-P:PBFREE C-2 30.7600K-P C-2 30.7600K-P:PBFREE C-2 31.2000KI-AG C-2 31.2500K-P
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