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C30807EH

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C30807EH 技术参数
  • C30742-33-050-T1 功能描述:PHOTOMULTIPLIER SI TO-8 TEC 制造商:excelitas technologies 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 C30737LH-500-92CTR 功能描述:Photodiode 905nm 600μs 6-CLCC 制造商:excelitas technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 波长:905nm 颜色 - 增强:- 频谱范围:500nm ~ 1000nm 二极管类型:雪崩 不同 nm 时的响应度:60 A/W @ 900nm 响应时间:600μs 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):* 电流 - 暗(典型值):5nA 有效面积:500μm 直径 视角:- 工作温度:-20°C ~ 60°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-CLCC 标准包装:50 C30737LH-500-80A 功能描述:Photodiode 650nm 300μs 6-CLCC 制造商:excelitas technologies 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 波长:650nm 颜色 - 增强:- 频谱范围:500nm ~ 1000nm 二极管类型:雪崩 不同 nm 时的响应度:35 A/W @ 650nm 响应时间:300μs 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):210V 电流 - 暗(典型值):5nA 有效面积:500μm 直径 视角:- 工作温度:-20°C ~ 60°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-CLCC 标准包装:50 C30737LH-230-83A 功能描述:Photodiode 650nm 220μs 6-CLCC 制造商:excelitas technologies 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 波长:650nm 颜色 - 增强:- 频谱范围:500nm ~ 1000nm 二极管类型:雪崩 不同 nm 时的响应度:35 A/W @ 650nm 响应时间:220μs 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):210V 电流 - 暗(典型值):2.5nA 有效面积:230μm 直径 视角:- 工作温度:5°C ~ 50°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-CLCC 标准包装:50 C30737LH-230-80A 功能描述:Photodiode 800nm 220μs 6-CLCC 制造商:excelitas technologies 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 波长:800nm 颜色 - 增强:- 频谱范围:800nm ~ 1000nm 二极管类型:雪崩 不同 nm 时的响应度:50 A/W @ 800nm 响应时间:220μs 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):210V 电流 - 暗(典型值):2.5nA 有效面积:230μm 直径 视角:- 工作温度:-20°C ~ 60°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-CLCC 标准包装:50 C308F-V-100MA-TR1 C308F-V-125MA-TR1 C308F-V-160MA-TR1 C308F-V-200MA-TR1 C308F-V-250MA-TR1 C308F-V-40MA-TR1 C308F-V-50MA-TR1 C308F-V-80MA-TR1 C30CO C30F C30FBS C30S C-3100-7 C-3100-8 C3102.41.86 C3103.41.86 C3105.41.86 C3106.41.86
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