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CBR04C449B3GAC

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CBR04C449B3GAC 技术参数
  • CBR04C439B5GAC 功能描述:CAP CER RF 4.3PF 50V +/-0.1 PF C 制造商:kemet 系列:HiQ-CBR 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电容:4.3pF 容差:±0.1pF 电压 - 额定:50V 温度系数:C0G,NP0 工作温度:-55°C ~ 125°C 特性:高 Q 值,低损耗,超低 ESR 等级:- 应用:RF,微波,高频 故障率:- 安装类型:表面贴装,MLCC 封装/外壳:0402(1005 公制) 大小/尺寸:0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm) 高度 - 安装(最大值):- 厚度(最大值):0.022"(0.55mm) 引线间距:- 引线形式:- 标准包装:1 CBR04C439B2GAC 功能描述:CAP CER 4.3PF 200V .1PF% COG 040 制造商:kemet 系列:HiQ-CBR 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电容:4.3pF 容差:±0.1pF 电压 - 额定:200V 温度系数:C0G,NP0 工作温度:-55°C ~ 125°C 特性:高 Q 值,低损耗,超低 ESR 等级:- 应用:RF,微波,高频 故障率:- 安装类型:表面贴装,MLCC 封装/外壳:0402(1005 公制) 大小/尺寸:0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm) 高度 - 安装(最大值):- 厚度(最大值):0.022"(0.55mm) 引线间距:- 引线形式:- 标准包装:1 CBR04C430F5GAC 功能描述:CAP CER RF 43PF 1% 50V +/-0.1 PF 制造商:kemet 系列:HiQ-CBR 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电容:43pF 容差:±1% 电压 - 额定:50V 温度系数:C0G,NP0 工作温度:-55°C ~ 125°C 特性:高 Q 值,低损耗,超低 ESR 等级:- 应用:RF,微波,高频 故障率:- 安装类型:表面贴装,MLCC 封装/外壳:0402(1005 公制) 大小/尺寸:0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm) 高度 - 安装(最大值):- 厚度(最大值):0.022"(0.55mm) 引线间距:- 引线形式:- 标准包装:1 CBR04C429B5GAC 功能描述:CAP CER RF 4.2PF 50V +/-0.1 PF C 制造商:kemet 系列:HiQ-CBR 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电容:4.2pF 容差:±0.1pF 电压 - 额定:50V 温度系数:C0G,NP0 工作温度:-55°C ~ 125°C 特性:高 Q 值,低损耗,超低 ESR 等级:- 应用:RF,微波,高频 故障率:- 安装类型:表面贴装,MLCC 封装/外壳:0402(1005 公制) 大小/尺寸:0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm) 高度 - 安装(最大值):- 厚度(最大值):0.022"(0.55mm) 引线间距:- 引线形式:- 标准包装:1 CBR04C419B5GAC 功能描述:CAP CER RF 4.1PF 50V +/-0.1 PF C 制造商:kemet 系列:HiQ-CBR 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电容:4.1pF 容差:±0.1pF 电压 - 额定:50V 温度系数:C0G,NP0 工作温度:-55°C ~ 125°C 特性:高 Q 值,低损耗,超低 ESR 等级:- 应用:RF,微波,高频 故障率:- 安装类型:表面贴装,MLCC 封装/外壳:0402(1005 公制) 大小/尺寸:0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm) 高度 - 安装(最大值):- 厚度(最大值):0.022"(0.55mm) 引线间距:- 引线形式:- 标准包装:1 CBR04C479B5GAC CBR04C479C1GAC CBR04C479C5GAC CBR04C489B5GAC CBR04C499B5GAC CBR04C508A1GAC CBR04C508A2GAC CBR04C508A3GAC CBR04C508A5GAC CBR04C508B1GAC CBR04C508B5GAC CBR04C508C1GAC CBR04C508C5GAC CBR04C509A1GAC CBR04C509A5GAC CBR04C509B1GAC CBR04C509B5GAC CBR04C509C1GAC
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