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CBR04C659D3GAC

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CBR04C659D3GAC 技术参数
  • CBR04C659B5GAC 功能描述:CAP CER RF 6.5PF 50V +/-0.1 PF C 制造商:kemet 系列:HiQ-CBR 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电容:6.5pF 容差:±0.1pF 电压 - 额定:50V 温度系数:C0G,NP0 工作温度:-55°C ~ 125°C 特性:高 Q 值,低损耗,超低 ESR 等级:- 应用:RF,微波,高频 故障率:- 安装类型:表面贴装,MLCC 封装/外壳:0402(1005 公制) 大小/尺寸:0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm) 高度 - 安装(最大值):- 厚度(最大值):0.022"(0.55mm) 引线间距:- 引线形式:- 标准包装:1 CBR04C649B5GAC 功能描述:CAP CER RF 6.4PF 50V +/-0.1 PF C 制造商:kemet 系列:HiQ-CBR 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电容:6.4pF 容差:±0.1pF 电压 - 额定:50V 温度系数:C0G,NP0 工作温度:-55°C ~ 125°C 特性:高 Q 值,低损耗,超低 ESR 等级:- 应用:RF,微波,高频 故障率:- 安装类型:表面贴装,MLCC 封装/外壳:0402(1005 公制) 大小/尺寸:0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm) 高度 - 安装(最大值):- 厚度(最大值):0.022"(0.55mm) 引线间距:- 引线形式:- 标准包装:1 CBR04C639B5GAC 功能描述:CAP CER RF 6.3PF 50V +/-0.1 PF C 制造商:kemet 系列:HiQ-CBR 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电容:6.3pF 容差:±0.1pF 电压 - 额定:50V 温度系数:C0G,NP0 工作温度:-55°C ~ 125°C 特性:高 Q 值,低损耗,超低 ESR 等级:- 应用:RF,微波,高频 故障率:- 安装类型:表面贴装,MLCC 封装/外壳:0402(1005 公制) 大小/尺寸:0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm) 高度 - 安装(最大值):- 厚度(最大值):0.022"(0.55mm) 引线间距:- 引线形式:- 标准包装:1 CBR04C629B5GAC 功能描述:CAP CER RF 6.2PF 50V +/-0.1 PF C 制造商:kemet 系列:HiQ-CBR 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电容:6.2pF 容差:±0.1pF 电压 - 额定:50V 温度系数:C0G,NP0 工作温度:-55°C ~ 125°C 特性:高 Q 值,低损耗,超低 ESR 等级:- 应用:RF,微波,高频 故障率:- 安装类型:表面贴装,MLCC 封装/外壳:0402(1005 公制) 大小/尺寸:0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm) 高度 - 安装(最大值):- 厚度(最大值):0.022"(0.55mm) 引线间距:- 引线形式:- 标准包装:1 CBR04C619B5GAC 功能描述:CAP CER RF 6.1PF 50V +/-0.1 PF C 制造商:kemet 系列:HiQ-CBR 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电容:6.1pF 容差:±0.1pF 电压 - 额定:50V 温度系数:C0G,NP0 工作温度:-55°C ~ 125°C 特性:高 Q 值,低损耗,超低 ESR 等级:- 应用:RF,微波,高频 故障率:- 安装类型:表面贴装,MLCC 封装/外壳:0402(1005 公制) 大小/尺寸:0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm) 高度 - 安装(最大值):- 厚度(最大值):0.022"(0.55mm) 引线间距:- 引线形式:- 标准包装:1 CBR04C689D5GAC CBR04C699B5GAC CBR04C708A1GAC CBR04C708A2GAC CBR04C708A5GAC CBR04C708B1GAC CBR04C708B5GAC CBR04C708C1GAC CBR04C708C5GAC CBR04C709B1GAC CBR04C709B5GAC CBR04C709C1GAC CBR04C709C5GAC CBR04C709D1GAC CBR04C709D5GAC CBR04C719B2GAC CBR04C719B5GAC CBR04C729B5GAC
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