CDZT2R9.1B

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功能描述
稳压二极管 100MW 9.1V VMN2
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 % / K
齐纳电流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-214AC
封装
Reel

CDZT2R9.1B 技术参数

CDZT2R8.2B 功能描述:Zener Diode 8.2V 100mW ±2% Surface Mount VMN2 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:Not For New Designs 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:100mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，扁平引线供应商器件封装:VMN2 标准包装:8,000 CDZT2R7.5B 功能描述:Zener Diode 7.5V 100mW ±2% Surface Mount VMN2 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:Not For New Designs 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:7.5V 容差:±2% 功率 - 最大值:100mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，扁平引线供应商器件封装:VMN2 标准包装:8,000 CDZT2R6.8B 功能描述:Zener Diode 6.8V 100mW ±2% Surface Mount VMN2 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±2% 功率 - 最大值:100mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 3.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，扁平引线供应商器件封装:VMN2 标准包装:1 CDZT2R6.2B 功能描述:Zener Diode 6.2V 100mW ±2% Surface Mount VMN2 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Not For New Designs 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:100mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，扁平引线供应商器件封装:VMN2 标准包装:1 CDZT2R5.6B 功能描述:Zener Diode 5.6V 100mW ±2% Surface Mount VMN2 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:100mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 2.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，扁平引线供应商器件封装:VMN2 标准包装:1 CDZT2RA6.2B CDZT2RA6.8B CDZT2RA7.5B CDZT2RA8.2B CDZT2RA9.1B CDZVT2R10B CDZVT2R11B CDZVT2R12B CDZVT2R15B CDZVT2R16B CDZVT2R18B CDZVT2R2.0B CDZVT2R2.2B CDZVT2R2.4B CDZVT2R2.7B CDZVT2R20B CDZVT2R27B CDZVT2R3.0B